LEEM-8 Magnetoresistive Effect Experimental Apparatus Featured Image

LEEM-8 Magnetoresistive Effect эксперименттік аппараты

Қысқаша сипаттамасы:

Өнім туралы толық ақпарат

Өнім белгілері

Ескерту: осциллограф кірмейді

Құрылғы қарапайым және мазмұнға бай. Мұнда екі түрдегі датчиктер қолданылады: магниттік индукция интенсивтілігін өлшеу үшін GaAs Hall датчигі және әртүрлі магниттік индукция интенсивтілігі кезінде InSb магниторезистволық сенсордың кедергісін зерттеу. Студенттер зерттеу және жобалау тәжірибелерімен сипатталатын жартылай өткізгіштің Холл эффектісі мен магниторезистенция әсерін байқай алады.

Тәжірибелер

1. InSb датчигінің қарсылықтың өзгеретін магнит өрісінің интенсивтілігіне қарсы өзгеруін зерттеу; эмпирикалық формуланы табыңыз.

2. InSb сенсорының кедергісін магнит өрісінің қарқындылығымен белгілеңіз.

3. Әлсіз магнит өрісі астындағы InSb сенсорының айнымалы ток сипаттамаларын зерттеңіз (жиілікті екі еселеу эффектісі).

Техникалық сипаттамалары

Сипаттама	Техникалық сипаттамалары
Магнит кедергісі датчигінің қоректену көзі	0-3 мА реттеледі
Сандық вольтметр	диапазоны 0-1.999 В ажыратымдылығы 1 мВ
Сандық милли-Teslameter	диапазоны 0-199,9 мТ, рұқсаты 0,1 мТ